Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 1000 В 750 мА (Tc) 40 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263
Вес и габариты
california prop 65
Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c
750mA (Tc)
drain to source voltage (vdss)
1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
eccn
EAR99
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
7.8nC @ 10V
htsus
8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds
260pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Surface Mount
operating temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
power dissipation (max)
40W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs
17Ohm @ 375mA, 10V
reach status
REACH Unaffected
rohs status
ROHS3 Compliant
supplier device package
TO-263
technology
MOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)
В±30V
vgs(th) (max) @ id
4.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26