IXKN40N60C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET 40 Amps 600V
Вес и габариты
длина38.2 mm
Высота 12.22 мм
id - непрерывный ток утечки40 A
9 430
+
Бонус: 188.6 !
Бонусная программа
Итого: 9 430
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET 40 Amps 600V
Вес и габариты
длина38.2 mm
Высота 12.22 мм
id - непрерывный ток утечки40 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеCoolMOS
конфигурацияSingle Dual Source
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора250 nC
размер фабричной упаковки10
rds вкл - сопротивление сток-исток60 mOhms
серияIXKN40N60
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения110 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипCoolMOS Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г30
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.9 V
вид монтажаChassis Mount
время нарастания30 ns
время спада10 ns
Ширина25.42 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль