Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

Подробное описание

4 440 ₽

– +

Бонус: 88.8 !

Бонусная программа

Итого: 4 440 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	120 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	HiPerFET
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	54 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	1.13 kW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	150 nC
размер фабричной упаковки	30
rds вкл - сопротивление сток-исток	27 mOhms
серия	IXFX120N30
технология	Si
типичное время задержки при включении	26 ns
типичное время задержки выключения	60 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
вес, г	1.6
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	13 ns
время спада	11 ns

Отзывов нет

Кнопки

IXFX120N30P3