Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.051Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

1 320 ₽

- +

Бонус: 26.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 320 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.051Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	HiPerFET Series
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	600В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	60А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	5В
power dissipation	625Вт
рассеиваемая мощность	625Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.051Ом
стиль корпуса транзистора	TO-268HV
вес, г	0.1

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IXFT60N60X3HV, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 60 А, 0.051 Ом, TO-268HV, Surface Mount