IXFT60N60X3HV, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 60 А, 0.051 Ом, TO-268HV, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFT60N60X3HV
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.051Ом
количество выводов3вывод(-ов)
1 320
+
Бонус: 26.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.051Ом
количество выводов3вывод(-ов)
линейка продукцииHiPerFET Series
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds600В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока60А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation625Вт
рассеиваемая мощность625Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.051Ом
стиль корпуса транзистораTO-268HV
вес, г0.1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль