IXFT340N075T2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TRENCHT2 HIPERFET PWR МОП-транзистор 75V 340A
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c340A (Tc)
длина16.05 mm
2 910
+
Бонус: 58.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 910
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор TRENCHT2 HIPERFET PWR МОП-транзистор 75V 340A
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c340A (Tc)
длина16.05 mm
drain to source voltage (vdss)75V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs300nC @ 10V
Высота 5.1 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки340 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds19000pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
коммерческое обозначениеTrenchT2, HiperFET
крутизна характеристики прямой передачи - мин.65 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
pd - рассеивание мощности935 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)935W (Tc)
qg - заряд затвора300 nC
размер фабричной упаковки30
rds on (max) @ id, vgs3.2mOhm @ 100A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток3.2 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesGigaMOSв„ў, HiPerFETв„ў, TrenchT2в„ў ->
серияIXFT340N075
supplier device packageTO-268
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении26 ns
типичное время задержки выключения60 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
ТипTrenchT2 HiperFET Power MOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-268-3
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
вес, г6.5
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id4V @ 3mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания50 ns
время спада35 ns
Ширина14 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль