IXFR32N100Q3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/23A
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
10 840
+
Бонус: 216.8 !
Бонусная программа
Итого: 10 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/23A
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHyperFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
pd - рассеивание мощности570 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора195 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
серияIXFR32N100
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
вес, г1.6
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания300 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль