IXFR26N120P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Вес и габариты
длина16.13 mm
Высота 21.34 мм
id - непрерывный ток утечки15 A
9 510
+
Бонус: 190.2 !
Бонусная программа
Итого: 9 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Вес и габариты
длина16.13 mm
Высота 21.34 мм
id - непрерывный ток утечки15 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPolar, HiperFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.13 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности320 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора225 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
серияIXFR26N120
технологияSi
типичное время задержки при включении56 ns
типичное время задержки выключения76 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolar Power MOSFET HiPerFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
вес, г1.6
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток6.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания55 ns
время спада58 ns
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль