IXFR140N30P, N-Channel MOSFET, 70 A, 300 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR140N30P

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsN-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
forward diode voltage	1.3V

Все характеристики

4 470 ₽

– +

Бонус: 89.4 !

Бонусная программа

Итого: 4 470 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsN-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
forward diode voltage	1.3V
maximum continuous drain current	70 A
maximum drain source resistance	26 mΩ
maximum drain source voltage	300 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	5V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	300 W
minimum gate threshold voltage	3V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package type	ISOPLUS247
pin count	3
series	Polar HiPerFET
typical gate charge @ vgs	185 nC 10 V
width	5.21mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IXFR140N30P, N-Channel MOSFET, 70 A, 300 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR140N30P