IXFQ14N80P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 14 Amps 800V 0.72 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
id - непрерывный ток утечки14 A
канальный режимEnhancement
1 340
+
Бонус: 26.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 14 Amps 800V 0.72 Rds
Вес и габариты
длина15.8 mm
id - непрерывный ток утечки14 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности400 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора61 nC
размер фабричной упаковки30
rds вкл - сопротивление сток-исток700 mOhms
серияIXFQ14N80
технологияSi
типичное время задержки при включении26 ns
типичное время задержки выключения62 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г5.5
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания29 ns
время спада27 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль