IXFP3N120
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 3A (Tc) |
| длина | 10.66 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 1200V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 39nC @ 10V |
| Высота | 16 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1050pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HyperFET |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1.5 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 |
| pd - рассеивание мощности | 200 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 200W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 39 nC |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rds on (max) @ id, vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HiPerFETв„ў -> |
| серия | IXFP3N120 |
| supplier device package | TO-220AB |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 17 ns |
| типичное время задержки выключения | 32 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | IXYS |
| Тип | HiPerFET Power MOSFET |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 1.5mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 15 ns |
| время спада | 18 ns |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26