IXFP20N85X
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| factory pack quantity | 50 |
| fall time | 20 ns |
| forward transconductance - min | 6 S |
| id - continuous drain current | 20 A |
| id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 6 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | IXYS |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | Through Hole |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| pd - power dissipation | 540 W |
| pd - рассеивание мощности | 540 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| qg - gate charge | 63 nC |
| qg - заряд затвора | 63 nC |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| rds on - drain-source resistance | 330 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
| rise time | 28 ns |
| series | X-Class |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 20 ns |
| типичное время задержки выключения | 44 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | IXYS |
| tradename | HiPerFET |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 44 ns |
| typical turn-on delay time | 20 ns |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 850 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| vgs - gate-source voltage | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 3.5 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 28 ns |
| время спада | 20 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
