Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT SILICON CARBIDE MINI

Подробное описание

73 780 ₽

– +

Бонус: 1475.6 !

Бонусная программа

Итого: 73 780 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	90 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	376 nC
размер фабричной упаковки	10
rds вкл - сопротивление сток-исток	35 mOhms
технология	SiC
типичное время задержки при включении	34 ns
типичное время задержки выключения	75 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227B-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	1.7 kV
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	13 ns
время спада	27 ns

Отзывов нет

Кнопки

IXFN90N170SK