IXFN60N80P, N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V, 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN60N80P
MOSFETs N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов4
9 810
+
Бонус: 196.2 !
Бонусная программа
Итого: 9 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETs N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
число контактов4
current - continuous drain (id) @ 25в°c53A (Tc)
длина38.23мм
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs250nC @ 10V
Высота 9.6 мм
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds18000pF @ 25V
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток800 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности1,04 кВт
максимальное сопротивление сток-исток140 mΩ
максимальный непрерывный ток стока53 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage5
минимальная рабочая температура-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
power dissipation (max)1040W (Tc)
размеры38.23 x 25.42 x 9.6мм
rds on (max) @ id, vgs140mOhm @ 30A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesPolarHVв„ў ->
серияHiperFET, Polar
supplier device packageSOT-227B
technologyMOSFET (Metal Oxide)
типичная входная емкость при vds18000 пФ при 25 В
типичное время задержки включения36 ns
типичное время задержки выключения110 нс
типичный заряд затвора при vgs250 nC @ 10 V
тип каналаN
тип корпусаSOT-227B
тип монтажаPanel Mount
transistor configurationОдинарный
вес, г37
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 8mA
Ширина25.42 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль