Name: IXFN52N100X, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами
SKU: IXFN52N100X

IXFN52N100X, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 44А, SOT227B, Ugs: ±40В, винтами

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFETДискретные полупроводниковые модули 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

Подробное описание

Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c	44A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V

Все характеристики

9 580 ₽

– +

Бонус: 191.6 !

Бонусная программа

Итого: 9 580 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c	44A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
eccn	EAR99
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	245nC @ 10V
htsus	8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки	44 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds	6725pF @ 25V
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	HiPerFET
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	SOT-227-4, miniBLOC
pd - рассеивание мощности	830 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
power dissipation (max)	830W (Tc)
размер фабричной упаковки	10
rds on (max) @ id, vgs	125mOhm @ 26A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток	125 mOhms
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	HiPerFETв„ў ->
серия	X-Class
supplier device package	SOT-227B
technology	MOSFET (Metal Oxide)
технология	Si
типичное время задержки при включении	34 ns
типичное время задержки выключения	107 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
вес, г	30.01
vgs (max)	В±30V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs(th) (max) @ id	6V @ 4mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
вид монтажа	Chassis Mount
время нарастания	13 ns
время спада	9 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки