IXFN44N80P, Модуль, одиночный транзистор, Uds 800В, Id 39А, SOT227B, Ugs ±30В
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN44N80P
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFETДискретные полупроводниковые модули 36 Amps 800V
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| channel type | N Channel |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 39A (Tc) |
| длина | 38.23 mm |
| drain source on state resistance | 0.19Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 800V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 200nC @ 10V |
| Высота | 12.22 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 12000pF @ 25V |
| категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 4вывод(-ов) |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Module |
| mounting type | Chassis Mount |
| напряжение истока-стока vds | 800В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 44А |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | SOT-227-4, miniBLOC |
| pd - рассеивание мощности | 694 W |
| подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| полярность транзистора | N-Channel |
| пороговое напряжение vgs | 5В |
| power dissipation | 694Вт |
| power dissipation (max) | 694W (Tc) |
| рассеиваемая мощность | 694Вт |
| размер фабричной упаковки | 10 |
| rds on (max) @ id, vgs | 190mOhm @ 500mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | PolarHVв„ў -> |
| серия | HiPerFET |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.19Ом |
| стиль корпуса транзистора | ISOTOP |
| supplier device package | SOT-227B |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 28 ns |
| типичное время задержки выключения | 75 ns |
| тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| торговая марка | IXYS |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | SOT-227-4 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| вес, г | 30.01 |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 8mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| вид монтажа | Chassis Mount |
| время нарастания | 22 ns |
| время спада | 27 ns |
| Ширина | 25.42 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26