IXFN44N100Q3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
Вес и габариты
configurationSingle
factory pack quantity10
id - continuous drain current38 A
14 870
+
Бонус: 297.4 !
Бонусная программа
Итого: 14 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
Вес и габариты
configurationSingle
factory pack quantity10
id - continuous drain current38 A
id - непрерывный ток утечки38 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHyperFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerIXYS
maximum operating temperature+150 C
mounting styleChassis Mount
number of channels1 Channel
package / caseSOT-227-4
packagingTube
pd - power dissipation960 W
pd - рассеивание мощности960 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge264 nC
qg - заряд затвора264 nC
размер фабричной упаковки10
rds on - drain-source resistance220 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток220 mOhms
rise time300 ns
seriesIXFN44N100
серияIXFN44N100
subcategoryMOSFETs
technologySi
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
tradenameHiPerFET
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
vds - drain-source breakdown voltage1 kV
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
вес, г30
vgs - gate-source voltage30 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаChassis Mount
время нарастания300 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль