IXFN36N100, Модуль, одиночный транзистор, 1кВ, 36А, SOT227B, Ugs: ±30В, винтами

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN36N100
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
число контактов4
длина38.23мм
13 510
+
Бонус: 270.2 !
Бонусная программа
Итого: 13 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™
Основные
ПроизводительIXYS
Вес и габариты
число контактов4
длина38.23мм
Высота 9.6 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток1000 V
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности700 Вт
максимальное сопротивление сток-исток240 мΩ
максимальный непрерывный ток стока36 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage5
минимальная рабочая температура-55 °C
номер каналаПоднятие
размеры38.23 x 25.42 x 9.6мм
серияHiPerFET
типичная входная емкость при vds9200 пФ при 25 В
типичное время задержки включения41 нс
типичное время задержки выключения110 нс
типичный заряд затвора при vgs380 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаSOT-227B
тип монтажаPanel Mount
transistor configurationОдинарный
вес, г30.01
Ширина25.42 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль