Name: IXFN200N10P, N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P
SKU: IXFN200N10P

Дискретные полупроводниковые модули 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Подробное описание

5 220 ₽

– +

Бонус: 104.4 !

Бонусная программа

Итого: 5 220 ₽

Купить

Дискретные полупроводниковые модули 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Вес и габариты
длина	38.23 mm
Высота	9.6 мм
id - непрерывный ток утечки	200 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	HiPerFET
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	680 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
размер фабричной упаковки	10
rds вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms
серия	IXFN200N10
технология	Si
типичное время задержки при включении	30 ns
типичное время задержки выключения	150 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
вес, г	32
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
вид монтажа	Chassis Mount
время нарастания	35 ns
время спада	90 ns
Ширина	25.42 мм

Отзывов нет

Кнопки