IXFN200N10P, N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN200N10P
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Дискретные полупроводниковые модули 200 Amps 100V 0.0075 Rds
| Вес и габариты | |
| длина | 38.23 mm |
| Высота | 9.6 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 680 W |
| подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| полярность транзистора | N-Channel |
| размер фабричной упаковки | 10 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| серия | IXFN200N10 |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 30 ns |
| типичное время задержки выключения | 150 ns |
| тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | SOT-227-4 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| вес, г | 32 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| вид монтажа | Chassis Mount |
| время нарастания | 35 ns |
| время спада | 90 ns |
| Ширина | 25.42 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
