Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторMOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds

Подробное описание

Вес и габариты
длина	38.23 mm
Высота	12.22 мм
id - непрерывный ток утечки	138 A

Все характеристики

11 360 ₽

– +

Бонус: 227.2 !

Бонусная программа

Итого: 11 360 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	38.23 mm
Высота	12.22 мм
id - непрерывный ток утечки	138 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	Polar, HiperFET
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	57 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	890 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	258 nC
размер фабричной упаковки	10
rds вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
серия	IXFN170N30
технология	Si
типичное время задержки при включении	41 ns
типичное время задержки выключения	79 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
Тип	Polar Power MOSFET HiPerFET
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOT-227-4
vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
вес, г	30
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
вид монтажа	Chassis Mount
время нарастания	29 ns
время спада	16 ns
Ширина	25.42 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IXFN170N30P