IXFN170N25X3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 250V 170A (Tc) 390W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c170A (Tc)
drain to source voltage (vdss)250V
8 580
+
Бонус: 171.6 !
Бонусная программа
Итого: 8 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 250V 170A (Tc) 390W (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c170A (Tc)
drain to source voltage (vdss)250V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs190nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds13500pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
power dissipation (max)390W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs7.4mOhm @ 85A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHiPerFETв„ў ->
supplier device packageSOT-227B
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 4mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль