IXFN110N85X, Модуль, одиночный транзистор, 850В, 110А, SOT227B, Ugs: ±40В, 425нC
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFN110N85X
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFETMOSFET 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 110A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 850V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 425nC @ 10V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 17000pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 43 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | Not Applicable |
| mounting type | Chassis Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | SOT-227-4, miniBLOC |
| pd - рассеивание мощности | 1.17 kW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1170W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 425 nC |
| размер фабричной упаковки | 10 |
| rds on (max) @ id, vgs | 33mOhm @ 55A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HiPerFETв„ў -> |
| серия | HiPerFET |
| supplier device package | SOT-227B |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 50 ns |
| типичное время задержки выключения | 144 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | SOT-227-4 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| вес, г | 30.01 |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| vgs(th) (max) @ id | 5.5V @ 8mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| вид монтажа | Chassis Mount |
| время нарастания | 25 ns |
| время спада | 11 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26