IXFL82N60P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Вес и габариты
длина20.29 mm
Высота 26.42 мм
id - непрерывный ток утечки82 A
8 000
+
Бонус: 160 !
Бонусная программа
Итого: 8 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Вес и габариты
длина20.29 mm
Высота 26.42 мм
id - непрерывный ток утечки82 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHiPerFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.50 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности625 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора240 nC
размер фабричной упаковки25
rds вкл - сопротивление сток-исток78 mOhms
серияIXFL82N60
технологияSi
типичное время задержки при включении28 ns
типичное время задержки выключения79 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
ТипPolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г7.5
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания23 ns
время спада24 ns
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль