IXFK200N10P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-264AA (IXFK), инфо: Транзистор полевой N-канальный 100В 200AN-канал 100V 200A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c200A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-264AA (IXFK), инфо: Транзистор полевой N-канальный 100В 200AN-канал 100V 200A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c200A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs235nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds7600pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-264-3, TO-264AA
power dissipation (max)830W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs7.5mOhm @ 100A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->
supplier device packageTO-264AA (IXFK)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
вес, г13.04
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id5V @ 8mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль