IXFH94N30P3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 94 А, 0.036 Ом, TO-247, Through Hole

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
maximum continuous drain current	94 A

Все характеристики

1 530 ₽

– +

Бонус: 30.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 530 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	N
maximum continuous drain current	94 A
maximum drain source resistance	36 mΩ
maximum drain source voltage	300 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	5V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	1.04 kW
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Through Hole
number of elements per chip	1
package type	TO-247
pin count	3
series	HiperFET, Polar3
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	102 nC 10 V
вес, г	19.05
width	5.3mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IXFH94N30P3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 94 А, 0.036 Ом, TO-247, Through Hole