N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Поднятие
число контактов	3
height	21.46мм

Все характеристики

2 640 ₽

– +

Бонус: 52.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 640 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Поднятие
число контактов	3
height	21.46мм
количество элементов на ис	1
конфигурация транзистора	Одинарный
length	16.26мм
максимальный непрерывный ток стока	69 A
maximum drain source resistance	49 мΩ
maximum drain source voltage	300 В
maximum gate source voltage	-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage	5V
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	500 Вт
minimum operating temperature	-55 °C
series	HiperFET, Polar
типичный заряд затвора при vgs	156 нКл при 10 В
тип канала	N
тип корпуса	TO-247
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
transistor material	Кремний
Ширина	5.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IXFH69N30P