IXFH36N50P
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 500V 36A
| Вес и габариты | |
| california prop 65 | Warning Information |
| channel mode | Поднятие |
| channel type | N |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 36A (Tc) |
| длина | 16.26 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 93nC @ 10V |
| Высота | 21.46 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 36 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 5500pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| конфигурация | Single |
| конфигурация транзистора | Одинарный |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 36 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| максимальное рассеяние мощности | 540 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 170 мΩ |
| maximum continuous drain current | 36 A |
| maximum drain source voltage | 500 В |
| maximum gate threshold voltage | 5V |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| pd - рассеивание мощности | 540 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 540W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 93 nC |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| rds on (max) @ id, vgs | 170mOhm @ 500mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HiperFET, Polar |
| серия | IXFH36N50 |
| supplier device package | TO-247AD (IXFH) |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 25 ns |
| типичное время задержки выключения | 75 ns |
| тип корпуса | TO-247AD |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | IXYS |
| transistor material | Кремний |
| typical gate charge @ vgs | 93 нКл при 10 В |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| вес, г | 6.5 |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 4mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 27 ns |
| время спада | 21 ns |
| Ширина | 5.3 мм |
| width | 5.3мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26