IXFH24N80P, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 24 А, 0.4 Ом, TO-247, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH24N80P
МОП-транзистор DIODE Id24 BVdass800
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c24A(Tc)
длина16.26 mm
Высота 21.46 мм
1 110
+
Бонус: 22.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор DIODE Id24 BVdass800
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c24A(Tc)
длина16.26 mm
Высота 21.46 мм
id - непрерывный ток утечки24 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHyperFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.25 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности650 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)650W(Tc)
размер фабричной упаковки30
rds on - drain-source resistance400mО© @ 12A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
серияIXFH24N80
технологияSi
типичное время задержки при включении32 ns
типичное время задержки выключения75 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаIXYS
transistor polarityN Channel
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - drain-source breakdown voltage800V
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г6
vgs - gate-source voltage5V @ 4mA
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания27 ns
время спада24 ns
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль