Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	20 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

2 510 ₽

– +

Бонус: 50.2 !

Бонусная программа

Итого: 2 510 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	20 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	HiPerFET
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	6 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	540 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	63 nC
размер фабричной упаковки	30
rds вкл - сопротивление сток-исток	330 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	20 ns
типичное время задержки выключения	44 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	850 V
вес, г	38
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	28 ns
время спада	20 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IXFH20N85X