Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs

Подробное описание

4 750 ₽

– +

Бонус: 95 !

Бонусная программа

Итого: 4 750 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	150 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	HiPerFET
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	890 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	177 nC
размер фабричной упаковки	30
rds вкл - сопротивление сток-исток	15 mOhms
серия	IXFH150N20
технология	Si
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
вес, г	1.6
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

IXFH150N20T