IXFH12N100P, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 12 А, 1.05 Ом, TO-247, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH12N100P
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 1000V 12A (Tc) 463W (Tc) сквозное отверстие TO-247AD (IXFH)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c12A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
1 010
+
Бонус: 20.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 010
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыN-канал 1000V 12A (Tc) 463W (Tc) сквозное отверстие TO-247AD (IXFH)
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c12A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs80nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds4080pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
power dissipation (max)463W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.05Ohm @ 6A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->
supplier device packageTO-247AD (IXFH)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
вес, г4
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль