IXFH10N100P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1 кВ, 10 А, 1.4 Ом, TO-247AD, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH10N100P
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance1.4Ом
количество выводов3вывод(-ов)
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance1.4Ом
количество выводов3вывод(-ов)
линейка продукцииPolar HiPerFET
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds1кВ
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока10А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs6.5В
power dissipation380Вт
рассеиваемая мощность380Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)1.4Ом
стиль корпуса транзистораTO-247AD
вес, г4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль