Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	1.4Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

860 ₽

– +

Бонус: 17.2 !

Бонусная программа

Итого: 860 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	1.4Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	Polar HiPerFET
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Through Hole
напряжение истока-стока vds	1кВ
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	10А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	6.5В
power dissipation	380Вт
рассеиваемая мощность	380Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	1.4Ом
стиль корпуса транзистора	TO-247AD
вес, г	4

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IXFH10N100P, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1 кВ, 10 А, 1.4 Ом, TO-247AD, Through Hole