Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET

Подробное описание

8 330 ₽

– +

Бонус: 166.6 !

Бонусная программа

Итого: 8 330 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	20.29 mm
Высота	26.59 мм
id - непрерывный ток утечки	170 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
коммерческое обозначение	Polar, HiperFET
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	57 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	1.25 kW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	258 nC
размер фабричной упаковки	25
rds вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
серия	IXFB170N30
технология	Si
типичное время задержки при включении	41 ns
типичное время задержки выключения	79 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
Тип	Polar Power MOSFET HiPerFET
упаковка	Tube
упаковка / блок	PLUS-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
вес, г	1.6
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	29 ns
время спада	16 ns
Ширина	5.31 мм

Отзывов нет

Кнопки

IXFB170N30P