IRLZ14PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220, инфо: Транзистор полевой N-канальный 60В 10А 43ВтМОП-транзистор N-Chan 60V 10 Amp
Основные
вес, г2.6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
39
+
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220, инфо: Транзистор полевой N-канальный 60В 10А 43ВтМОП-транзистор N-Chan 60V 10 Amp
Основные
вес, г2.6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220AB-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRLZ
supplier device packageTO-220AB
время нарастания110 ns
время спада26 ns
pin count3
product categoryPower MOSFET
pd - рассеивание мощности43 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)175
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220AB
base product numberIRLZ14 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)43000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height9.01(Max)
package length10.41(Max)
package width4.7(Max)
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tabTab
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора8.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении9.3 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)10
maximum drain source resistance (mohm)200@5V
maximum drain source voltage (v)60
maximum gate source voltage (v)±10
maximum gate threshold voltage (v)2
typical fall time (ns)26
typical gate charge @ vgs (nc)8.4(Max)@5V
typical input capacitance @ vds (pf)400@25V
typical rise time (ns)110
typical turn-off delay time (ns)17
typical turn-on delay time (ns)9.3
current - continuous drain (id) @ 25в°c10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)4V, 5V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8.4nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds400pF @ 25V
power dissipation (max)43W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs200mOhm @ 6A, 5V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id2V @ 250ВµA
militaryNo
typical output capacitance (pf)170
typical gate to drain charge (nc)6(Max)
typical gate to source charge (nc)3.5(Max)
typical reverse recovery charge (nc)340
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль