IRLU8743PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-251, инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135ВтМОП-транзистор MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
base product numberIRLU8743 ->
число контактов3
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-251, инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135ВтМОП-транзистор MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
base product numberIRLU8743 ->
число контактов3
current - continuous drain (id) @ 25в°c160A (Tc)
длина6.73мм
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs59nC @ 4.5V
Высота 6.22 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки160 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds4880pF @ 15V
канальный режимEnhancement
категорияМощный МОП-транзистор
категория продуктаМОП-транзистор
количество элементов на ис1
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток30 V
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности135 W
максимальное сопротивление сток-исток3 мОм
максимальный непрерывный ток стока160 A
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage2.35V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage1.35V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
номер каналаПоднятие
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
pd - рассеивание мощности135 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)135W (Tc)
qg - заряд затвора59 nC
размеры6.73 x 2.39 x 6.22мм
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs3.1mOhm @ 25A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток3.9 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHEXFETВ® ->
серияHEXFET
supplier device packageIPAK (TO-251)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичная входная емкость при vds4880 пФ при 15 В
типичное время задержки включения19 ns
типичное время задержки выключения21 ns
типичный заряд затвора при vgs39 nC @ 4.5 V
тип каналаN
тип корпусаIPAK (TO-251)
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor configurationОдинарный
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.72
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id2.35V @ 100ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
вид монтажаThrough Hole
Ширина2.39 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль