Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETN-канал 100 В, 4,3 A (Tc), 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-251AA

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube

47 ₽

– +

Бонус: 0.94 !

Бонусная программа

Итого: 47 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETN-канал 100 В, 4,3 A (Tc), 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-251AA

Основные
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-251AA
base product number	IRLU110 ->
Вес и габариты
technology	MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c	4.3A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	100V
drive voltage (max rds on, min rds on)	4V, 5V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	6.1nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	250pF @ 25V
power dissipation (max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	540mOhm @ 2.6A, 5V
vgs (max)	В±10V
vgs(th) (max) @ id	2V @ 250ВµA

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IRLU110PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK