IRLTS2242TRPBF, Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLTS2242TRPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| base product number | IRLTS2242 -> |
| число контактов | 6 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 6.9A (Ta) |
| длина | 3мм |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 4.5V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 12nC @ 4.5V |
| Высота | 1.3 м |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 6.9 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 905pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | HEXFET |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| максимальное напряжение затвор-исток | -12 V, +12 V |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 55 mΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 6,9 A |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 1.1V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 0.4V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-23-6 |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 2W (Ta) |
| qg - заряд затвора | 12 nC |
| размеры | 3 x 1.75 x 1.3мм |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 32mOhm @ 6.9A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| серия | HEXFET |
| supplier device package | 6-TSOP |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 905 пФ при -10 В |
| типичное время задержки включения | 5,8 нс |
| типичное время задержки выключения | 81 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 12 нКл при 4,5 В |
| тип канала | A, P |
| тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor configuration | Одинарный |
| упаковка / блок | TSOP-6 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| vgs (max) | В±12V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.1V @ 10ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.75 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26