IRLS3036-7P

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить термопроводимость системы - один из самых критичных параметров преобразователей с высоким рабочим током. С другом стороны, низкое напряжение затвор-исток позволяет управлять транзистором от микроконтроллера или при низком уровне заряда...
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов7
длина10.67мм
2 550
+
Бонус: 51 !
Бонусная программа
Итого: 2 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFET транзисторы International Rectifier на напряжение 40-100 В разработаны по новейшей Trench технологии и предназначены для DC-DC преобразователей и систем управления приводом с высоким рабочим током. Низкий уровень сопротивления открытого канала помогает улучшить термопроводимость системы - один из самых критичных параметров преобразователей с высоким рабочим током. С другом стороны, низкое напряжение затвор-исток позволяет управлять транзистором от микроконтроллера или при низком уровне заряда аккумулятора. Низкое напряжение затвор-исток также позволяет повысить эффективность при работе на малых нагрузках благодаря уменьшенному заряду затвора. Помимо низкого сопротивления канала, новое семейство транзисторов имеет рабочий ток 195 А в корпусах TO-220, D2PAK, TO-262. Это на 60% превышает типичные номинальные параметры для данных корпусов, предлагаемые конкурентными компонентами (их рабочий ток не превышает 120А). А транзисторы в 7-выводных корпусах D2PAK достигают еще 16%-ного снижения сопротивления кана
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов7
длина10.67мм
Высота 4.83 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток60 В
максимальное напряжение затвор-исток-16 V, +16 V
максимальное рассеяние мощности380 W
максимальное сопротивление сток-исток2 MΩ
максимальный непрерывный ток стока300 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage2.5V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage1V
номер каналаПоднятие
размеры10.67 x 9.65 x 4.83мм
серияHEXFET
типичная входная емкость при vds11270 пФ при 50 В
типичное время задержки включения81 ns
типичное время задержки выключения89 ns
типичный заряд затвора при vgs110 nC @ 4.5 V
тип каналаN
тип корпусаD2PAK (TO-263)
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль