IRLR3110ZTRLPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeGull-wing
materialSi
maximum continuous drain current (a)63
maximum drain source resistance (mohm)14 10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source voltage (v)±16
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)140000
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed2
pin count3
ppapNo
process technologyHEXFET
product categoryPower MOSFET
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typical fall time (ns)48
typical gate charge @ vgs (nc)34 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)3980 25V
typical rise time (ns)110
typical turn-off delay time (ns)33
typical turn-on delay time (ns)24
вес, г0.2
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль