IRLR2703TRPBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLR2703TRPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| длина | 6.5 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 2.3 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 23 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 45 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source voltage (v) | ±16 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 45000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 38 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| ppap | No |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 10 nC |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 12 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| typical fall time (ns) | 20 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 15(Max)4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 450 25V |
| typical rise time (ns) | 140 |
| typical turn-off delay time (ns) | 12 |
| typical turn-on delay time (ns) | 8.5 |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 140 ns |
| время спада | 20 ns |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26