IRLML6346TRPBF, Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLML6346TRPBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
continuous drain current (id) @ 25в°c3.4A
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
крутизна характеристики s,а/в9.5
lead shapeGull-wing
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в1.1
maximum continuous drain current (a)3.4
maximum drain source resistance (mohm)63 4.5V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±12
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1300
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pin count3
power dissipation-max (ta=25в°c)1.3W
ppapNo
process technologyHEXFET
product categoryPower MOSFET
rds on - drain-source resistance63mО© @ 3.4A,4.5V
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом63
standard package nameSOT-23
supplier packageSOT-23
температура, с-55…+150
transistor polarityN Channel
typical fall time (ns)4.9
typical gate charge @ vgs (nc)2.9 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)270 24V
typical rise time (ns)4
typical turn-off delay time (ns)12
typical turn-on delay time (ns)3.3
vds - drain-source breakdown voltage30V
vgs - gate-source voltage1.1V @ 10uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль