IRLML6246TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c4.1A
длина2.9 mm
Высота 1.1 мм
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c4.1A
длина2.9 mm
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки4.1 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHEXFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики s,а/в10
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в1.1
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.3 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)1.3W
qg - заряд затвора3.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance46mО© @ 4.1A,4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток46 mOhms
серияN-Channel
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом46
технологияSi
температура, с-55…+150
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor polarityN Channel
упаковка / блокSOT-23-3
vds - drain-source breakdown voltage20V
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - gate-source voltage1.1V @ 5uA
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль