IRLML6244TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам...
Infineon
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c6.3A
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Основные
ПроизводительInfineon
Вес и габариты
число контактов3
continuous drain current (id) @ 25в°c6.3A
длина3.04мм
Высота 1.02 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток20 V
максимальное напряжение затвор-исток-12 В, +12 В
максимальное рассеяние мощности1,3 Вт
максимальное сопротивление сток-исток27 mΩ
максимальный непрерывный ток стока6,3 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage1.1V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage0.5V
номер каналаПоднятие
power dissipation-max (ta=25в°c)1.3W
размеры3.04 x 1.4 x 1.02мм
rds on - drain-source resistance21mО© @ 6.3A,4.5V
серияHEXFET
типичная входная емкость при vds700 пФ при 16 В
типичное время задержки включения4,9 нс
типичное время задержки выключения19 нс
типичный заряд затвора при vgs8,9 нКл при 4,5 В
тип каналаN
тип корпусаSOT-23
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage20V
vgs - gate-source voltage1.1V @ 10uA
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль