IRLIZ34GPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
820
+
Бонус: 16.4 !
Бонусная программа
Итого: 820
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220-3
pd - рассеивание мощности42 W
количество каналов1 Channel
base product numberIRLIZ34 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки20 A
qg - заряд затвора35 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c20A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)4V, 5V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs35nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1600pF @ 25V
power dissipation (max)42W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs50mOhm @ 12A, 5V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id2V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль