Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: HVMDIP-4, инфо: Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7AМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор HEXDI

Подробное описание

Основные
вес, г	0.9
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C

Все характеристики

45 ₽

– +

Бонус: 0.9 !

Бонусная программа

Итого: 45 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.9
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	DIP-4
время нарастания	110 ns
время спада	26 ns
pd - рассеивание мощности	1.3 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	1.7 A
qg - заряд затвора	8.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1.9 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	17 ns
типичное время задержки при включении	9.3 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки