IRLD014

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор HEXDI
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор HEXDI
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокDIP-4
время нарастания110 ns
время спада26 ns
pd - рассеивание мощности1.3 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки1.7 A
qg - заряд затвора8.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.9 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении9.3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль