Name: IRLB8748PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
SKU: IRLB8748PBF

IRLB8748PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	IRLB8748 ->
Корпус
current - continuous drain (id) @ 25в°c	92A (Tc)

Все характеристики

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Benchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg) предназначены для индустриальных применений, включая источники бесперебойного питания (UPS), высокоэффективные низковольтные DC/DC преобразователи, приложения типа O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), источники питания для серверов и сетевых рабочих станций. Устройства сочетают в себе высокие эксплуатационные характеристики и производительность и имеют привлекательную невысокую стоимость. MOSFET-транзисторы IRLB8721PBF, IRLB8743PBF, IRLB8748PBF, IRLB3813PBF являются прямой улучшенной заменой существующих 30-вольтовых MOSFETs и являются развитием линейки Benchmark MOSFETs International Rectifier. Данные MOSFET транзисторы выполнены в корпусе TO-220AB.

Вес и габариты
base product number	IRLB8748 ->
Корпус
current - continuous drain (id) @ 25в°c	92A (Tc)
длина:	10 mm
drain to source voltage (vdss)	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	4.5V, 10V
другие названия товара №:	IRLB8748PBF SP001567020
eccn	EAR99
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	23nC @ 4.5V
htsus	8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки:	92 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2139pF @ 15V
канальный режим:	Enhancement
категория продукта:	МОП-транзистор
количество каналов:	1 Channel
коммерческое обозначение:	HEXFET
конфигурация:	Single
крутизна характеристики s,а/в	196
максимальная рабочая температура:	+ 175 C
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	75
максимальное напряжение сток-исток uси,в	30
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	2.35
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	92
минимальная рабочая температура:	- 55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
pd - рассеивание мощности:	75 W
подкатегория:	MOSFETs
полярность транзистора:	N-Channel
power dissipation (max)	75W (Tc)
производитель:	infineon
qg - заряд затвора:	23 nC
размер фабричной упаковки:	1000
rds on (max) @ id, vgs	4.8mOhm @ 40A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток:	6.8 mOhms
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	HEXFETВ® ->
серия:	N-Channel
ширина:	4.4 mm
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	4.8
Структура	n-канал
supplier device package	TO-220AB
technology	MOSFET (Metal Oxide)
технология:	Si
температура, с	-55...+175
тип продукта:	MOSFET
тип транзистора:	1 N-Channel
торговая марка:	Infineon / IR
упаковка:	Tube
упаковка / блок:	TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:	30 V
vgs (max)	В±20V
vgs - напряжение затвор-исток:	- 20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id	2.35V @ 50ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	1.8 V
вид монтажа:	Through Hole
высота:	15.65 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки