Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY
Язык:USRU
+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

IRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLB8721PBF
IRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB TubeIRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB TubeIRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB TubeIRLB8721PBF, Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETBenchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg) предназначены для индустриальных применений, включая источники бесперебойного питания (UPS), высокоэффективные низковольтные DC/DC преобразователи, приложения типа O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), источники питания для серверов и сетевых рабочих станций. Устройства сочетают в...
Подробное описание
Вес и габариты
base product numberIRLB8721 ->
configurationSingle
current - continuous drain (id) @ 25в°c62A (Tc)
Все характеристики
72 ₽
– +
Бонус: 1.44 !
Бонусная программа
Итого: 72 ₽
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETBenchmark (эталонные в своем классе) MOSFET-транзисторы International Rectifierc с напряжением 30 В с ультранизким значением заряда затвора (Qg) предназначены для индустриальных применений, включая источники бесперебойного питания (UPS), высокоэффективные низковольтные DC/DC преобразователи, приложения типа O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания), источники питания для серверов и сетевых рабочих станций. Устройства сочетают в себе высокие эксплуатационные характеристики и производительность и имеют привлекательную невысокую стоимость. MOSFET-транзисторы IRLB8721PBF, IRLB8743PBF, IRLB8748PBF, IRLB3813PBF являются прямой улучшенной заменой существующих 30-вольтовых MOSFETs и являются развитием линейки Benchmark MOSFETs International Rectifier. Данные MOSFET транзисторы выполнены в корпусе TO-220AB.
Вес и габариты
base product numberIRLB8721 ->
configurationSingle
current - continuous drain (id) @ 25в°c62A (Tc)
длина10 mm
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
factory pack quantity1000
fall time17 ns
fet typeN-Channel
forward transconductance - min35 S
gate charge (qg) (max) @ vgs13nC @ 4.5V
Высота 15.65 мм
htsus8541.29.0095
id - continuous drain current62 A
id - непрерывный ток утечки62 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds1077pF @ 15V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеHEXFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.35 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
manufacturerInfineon
maximum operating temperature+175 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of channels1 Channel
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
packagingTube
part # aliasesSP001558140
pd - power dissipation65 W
pd - рассеивание мощности65 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)65W (Tc)
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge7.6 nC
qg - заряд затвора7.6 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on - drain-source resistance8.7 mOhms
rds on (max) @ id, vgs8.7mOhm @ 31A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток8.7 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rise time93 ns
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHEXFETВ® ->
серияN-Channel
subcategoryMOSFETs
supplier device packageTO-220AB
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении9.1 ns
типичное время задержки выключения9 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time9 ns
typical turn-on delay time9.1 ns
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - drain-source breakdown voltage30 V
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - gate-source threshold voltage1.8 V
vgs(th) (max) @ id2.35V @ 25ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания93 ns
время спада17 ns
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
  • Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
    Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
    ИНН 7536172565
    КПП 381201001
    ОГРН 1187536004215
    Расчетный счет 40702810010000426573
    Банк АО «Тинькофф Банк»
    БИК банка 044525974
    ИНН банка 7710140679
    Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
    Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

    • Кнопки
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
0Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0Избранное
Товар добавлен в список избранных
Профиль