IRL80HS120, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 12.5 А, 0.025 Ом, PQFN, Surface Mount

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор TRENCH 40

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки
12.5 A
Pd - рассеивание мощности
11.5 W
Qg - заряд затвора
7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
22 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
14 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
4000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
9.2 ns
Типичное время задержки при включении
7.6 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
PQFN-6
Вес, г
2.27

Техническая документация


Da